Первый SSD Intel Optane с технологией 3D XPoint будет иметь пропускную способность до 6 ГБ/с

Согласно релизу, выпущенному Intel, производительность первого поколения хранилищ на базе 3D XPoint будет ограничена только существующими интерфейсами.

Первый SSD Intel Optane, оснащаемый памятью 3D XPoint, будет использоваться для хранения важных, «горячих» данных. Именно поэтому важна высокая пропускная способность, низкие временные задержки и высокая производительность в терминах количества операций ввода/вывода. Первые диски Intel Optane с памятью 3D XPoint будут использовать интерфейс PCI Express 3.0 или DDR4 и будут выпускаться в форм-факторе PCIe или DIMM.

Карты PCI Express 3.0 x 4 совместимы со всеми существующими серверами и обеспечивают пропускную способность до 4Г Б/с. В противоположность им, NVDIMM (энергонезависимые DIMM) потенциально могут обеспечить ещё большую пропускную способность и меньшую задержку.

Готовящиеся к выпуску процессоры Intel Xeon E5 v4 “Broadwell-EP” с 22 ядрами официально будут поддерживать память PC4-19200 (DDR4 2400МГц), таким образом, обеспечив пропускную способность в 19.2 ГБ/с. Теоретически, NVDIMM с памятью 3D XPoint может обеспечить сходную пропускную способность, однако Intel просто не хочет этого подтверждать. 3D XPoint NVDIMM смогут обеспечить всего 6 ГБ/с, что, разумеется, много, но с трудом может считаться каким-то существенным прорывом.

На форуме разработчиков Intel крупнейший разработчик чипов подтвердил, что до выпуска NVDIMM с 3D XPoint придётся поработать с JEDEC и внести необходимые улучшения, чтобы убедиться в совместимости между SSD и платформами. Учитывая тот факт, что интерфейс DDR4 может обеспечить очень высокие скорости передачи данных, есть вероятность, что со временем коммерческие версии 3D XPoint NVDIMM выйдут на рынок, а их пропускная способность будет существенно выше той, что была заявлена изначально.

Как Intel, так и Micron верят, что уникальные особенности 3D XPoint – исключительные скорости чтения/записи, повышенная надёжность в сравнение с NAND флэш-памятью и намного большая плотность – выведут новый тип памяти в лидеры.